Les transistors ont trois régimes de fonctionnement : BLOQUÉ, SATURÉ et PASSANT (LINÉAIRE).

En commutation nous ne nous intéresserons qu’aux régimes bloqué et saturé.

La commutation est la caractéristique que possèdent ces composants de se comporter comme des interrupteurs commandés électriquement.

 

 

 

1 – LE TRANSISTOR BIPOLAIRE :

 

On distingue deux types de transistor bipolaire : NPN et PNP.

 

 

 

 

 

 

 

 

L’étude se limitera au  transistor NPN. Les PNP s’utilisent, fonctionnent et ont les mêmes caractéristiques que les NPN, seul le sens des tensions et des courants est inversé.

 

Dans les documentations, les constructeurs précisent : Icmax, Vcemax, Pmax, Vbesat et Vcesat.

 

 

 

            TRANSISTOR EN COMMUTATION :

 

Soit le montage suivant :

 

Ce sont les caractéristiques de l’élément commandé (UTILISATION) qui déterminent la valeur de Icsat.

Tous les calculs de composants se font lorsque le transistor est saturé et avec βmin.

 

 

 

 

Pour saturer il faut Ib ≥ Ibsat  (Ibsat=Icsat/βmin)                Pour bloquer il faut Ib = 0A

 

On a alors  Vce =Vcesat (≈ 0v)                                                     On a alors       Vce = Vcc

 

            Ic = Icsat                                                                                            Ic = 0A

                                                                                                                                                                  

Vbe = Vbesat (≈0,7v)                                                                         Vbe ≤ 0v

 

 

En commutation, le transistor bipolaire se comporte entre le collecteur et l’émetteur, comme un interrupteur commandé par le courant de la base.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 2 – LE TRANSISTOR MOSFET à enrichissement:

 

On distingue deux types de transistor Canal N et Canal P.

 

                     

     

 

 

 

 

 

Les transistors à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) ont un fonctionnement totalement différent des transistors bipolaires. Cependant ils possèdent eux aussi trois régimes de fonctionnement : BLOQUÉ, SATURÉ et PASSANT (LINÉAIRE).

Quelque soit son régime de fonctionnement le MOSFET a un courant de grille Ig ≈ 0A.

 

 

CARACTÉRISTIQUES :

 

L’étude se limitera au  Canal N. Les Canal P s’utilisent, fonctionnent et ont les mêmes caractéristiques que les Canal N, seul le sens des tensions et des courants est inversé.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGSoff (ou VGSth) est la valeur particulière de VGS au dessus de laquelle le transistor est saturé.